记忆中的记忆：一场永远不会消失的战争 据ELEC报道，主要半导体气体价格翻倍，SK Specialty、Foosung和日本Kanto Denka等主要WF6制造商最近向三星电子、SK Hynix、Dongbu Hi-Tech和Magna等韩国半导体制造商表示，从明年开始，单位供应价格将上涨70%-90%。钨通常用于逻辑芯片、DRAM 存储芯片以及复杂 3D NAND 存储芯片的制造。 1、六氟化钨（WF6）气体价格大幅上涨。六氟化钨近期价格大幅上涨。主要原因是上游钨价格上涨。全球80%以上的钨金属是在中国开采和加工的，中国于2月份对tungsten.en等“战略矿产”实施了出口许可证政策。钨价持续上涨，过去五个月翻了一番。早在9月份，钨矿价格较年初上涨95%至28万元/吨，仲钨酸铵（apt，生产WF6的原料）价格上涨90%以上至40万元/吨。 迫于成本压力，日本SK Specialty、Foosung、Kanto Denka等主要WF6供应商已接到三星电子、SK Hynix等韩国半导体厂商的通知，明年供货单价将上涨70%-90%。日本企业也因汇率因素涨价90%。他们表示，此次价格调整是由于过去五个月钨价翻倍，给天然气生产商带来了成本压力。另外，日本天然气生产商还计划以不利的汇率为由将价格提高90%。消息人士还指出，芯片制造商意识到钨价上涨，因此或多或少愿意接受六氟钨的涨价。奥里德。 WF6是芯片制造的关键材料，是化学气相沉积（CVD）工艺中不可缺少的材料。它可以在晶圆表面沉积金属钨，填充通道和孔洞，并形成导电连接层。它广泛应用于逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造。全球芯片行业每年消耗大约7,000-8,000吨WF6。主要厂家产能分布为：中国Peric 2200吨/年、SK Specialty 2000吨/年、日本关东电化1400吨/年、Foosung 900吨/年。国内含氟特种气体自主供应能力也在不断提高。 2022年起国产化率将达到50%。 2、回应：SK海力士加速HBM，三星计划降低HBM价格。面对成本压力和市场竞争，存储企业采取了不同的策略。 SK海力士加速高带宽内存（HBM）布局并布局首批新晶圆厂 M15X 的设备于 10 月完成，比原计划提前两个月。该工厂致力于生产1B DRAM（用于HBM3E），月产能为35,000片DRAM晶圆（可生产10亿颗DRAM芯片），未来计划扩大至每月55,000-60,000片晶圆。同时，还正在筹建美国印第安纳州龙仁工厂和先进封装工厂，已完成HBM4的开发，正在准备量产。三星电子在HBM市场面临被动局面。由于12层HBM3E ani的爬坡缓慢，刚刚通过NVIDIA测试并于9月份正式发布。出货时间落后于SK海力士（最早将于2024年交付）和美光（6月份HBM3E良率超过70%）。为了抢占市场，三星计划对12层HBM3E实施降价30%的策略，以价换量来应对竞争。虽然价格六氟化钨（WF₆）明年将增长70%-90%，给三星和SK海力士带来成本压力，AI的需求引发了内存的“超级周期”，供应结构和不平衡成为比例增长的主要原因，而不是纯粹的交付成本。两大巨头并没有气馁，继续抬高内存条的价格，上涨趋势十分明显。 特别声明：本文由网易自媒体平台“网易号”作者上传发布，仅代表作者观点。网易仅提供信息发布平台。 注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易HAO用户上传发布，网易HAO为社交媒体平台，仅提供信息存储服务。